2019.02.03 更新

高通：添加骁龙 855，675 数据

MTK：添加 P35，P70 数据

海思：添加麒麟 980 数据

整理了一下目前安卓机上常见的一些 SOC 参数信息，做成了表格汇总，以供参考。信息主要来源于各家官网以及网络搜集，由于部分 SOC 型号官网参数不全，加上相关产品较少，所以本表不保证 100% 正确，如有错误欢迎提出。列表中只记录目前常见型号，退市的以及部分已发布，但由于各种原因没有实际产品上市的型号不做收录。表中标为？的表示此项信息未知，一般是目前产品太少或难以查询导致。

厂家方面目前收录了高通，三星，海思，MTK 和松果，其他的诸如展讯之类由于目前在手机上基本见不到了，所以暂时不做记录。

高通（Qualcomm）

主要信息来源于高通官网和网络收集。

型号 发布时间 制造工艺 架构 配置方式 CPU主频 GPU 内存 基带（下行/上行 快充
骁龙425 2016.Q1 SMIC 28nm LP A53 4*A53 1.4GHz Adreno 308 LPDDR3-667 X6 LTE Cat.4 QC2.0
骁龙430 2015.Q3 28nm LP A53 8*A53 1.2GHz Adreno 505 LPDDR3-800 X6 LTE Cat.4 QC3.0
骁龙435 2016.Q1 28nm LP A53 8*A53 1.4GHz Adreno 505 LPDDR3-800 X8 LTE Cat.7 QC3.0
骁龙450 2017.Q2 SAMSUNG 14nm LPP A53 8*A53 1.8GHz Adreno 506 LPDDR3-933 X9 LTE Cat.7 QC3.0
骁龙625 2016.Q1 SAMSUNG 14nm LPP A53 8*A53 2.0GHz Adreno 506 LPDDR3-933 X9 LTE Cat.7 QC3.0
骁龙626 2016.Q4 SAMSUNG 14nm LPP A53 8*A53 2.2GHz Adreno 506 LPDDR3-933 X9 LTE Cat.7 QC3.0
骁龙630 2017.Q2 SAMSUNG 14nm LPP A53 8*A53 2.2GHz Adreno 508 LPDDR4-1333 X12 Cat.12/13 QC4.0
骁龙650 2015.Q4 TSMC 28nm HPM A53+A72 4*A53+2*A72 1.4+1.8GHz Adreno 510 LPDDR3-933 X8 LTE Cat.7 QC3.0
骁龙652 2015.Q4 TSMC 28nm HPM A53+A72 4*A53+2*A72 1.4+1.8GHz Adreno 510 LPDDR3-933 X8 LTE Cat.7 QC3.0
骁龙653 2016.Q4 TSMC 28nm HPM A53+A72 4*A53+2*A72 1.44+1.95GHz Adreno 510 LPDDR3-933 X9 LTE Cat.7/13 QC3.0
骁龙660 2017.Q2 SAMSUNG 14nm LPP Kyro 4*Kyro 260+4*Kyro 260 1.8+2.2GHz Adreno 512 LPDDR4-1866 X12 Cat.12/13 QC4.0
骁龙670 2018.Q3 SAMSUNG 10nm FinFET LPE Kryo 360 2*Kyro 360+6*Kyro 360 2.0+1.7GHz Adreno 615 LPDDR4X-1866 X12 Cat.12/13 QC4.0
骁龙675 2018.Q4 SAMSUNG 11nm FinFET LPP Kryo 460 2*Kyro 460+6*Kyro 460 2.0+1.8GHz Adreno 612 LPDDR4X-1866 X12 Cat.12/13 QC4.0+
骁龙710 2018.Q2 SAMSUNG 10nm FinFET LPE Kryo 360 2*Kyro 360+6*Kyro 360 2.2+1.7GHz Adreno 616 LPDDR4X-1866 X15 Cat.15/7 QC4.0
骁龙820降频版 2015.Q4 SAMSUNG 14nm FinFET Kyro 2*Kyro+2*Kyro 1.36+1.8GHz Adreno 530 LPDDR4-1866 X12 Cat.12/13 QC3.0
骁龙820 2015.Q4 SAMSUNG 14nm FinFET Kyro 2*Kyro+2*Kyro 1.59+2.15GHz Adreno 530 LPDDR4-1866 X12 Cat.12/13 QC3.0
骁龙821 2016.Q3 SAMSUNG 14nm FinFET Kyro 2*Kyro+2*Kyro 2.19+2.34GHz Adreno 530 LPDDR4-1866 X12 Cat.12/13 QC3.0
骁龙835 2017.Q1 SAMSUNG 10nm FinFET LPE Kyro 280 4*Kyro 280+4*Kyro 280 1.9+2.45GHz Adreno 540 LPDDR4X-1866 X16 Cat.16/13 QC4.0
骁龙845 2017.Q4 SAMSUNG 10nm FinFET LPP Kryo 360 4*Kyro 360+4*Kyro 360 1.7+2.8GHz Adreno 630 LPDDR4X-1866 X20 Cat.18/13 QC4.0
骁龙855 2019.Q1 TSMC 7nm FinFET Kryo 485 1*Kyro 485+3*Kyro 485+4*Kyro 2.84+2.42+1.8GHz Adreno 640 LPDDR4X-2133 X24 Cat.20/13 QC4.0+

海思（Hisilicon）

主要信息来源于官方发布会以及网络收集。

型号 发布时间 制造工艺 架构 配置方式 CPU主频 GPU 内存 基带 快充
麒麟650 2016.Q2 TSMC 16nm FinFET+ A53 4*A53+4*A53 1.7+2.0GHz Mali-T830 MP2 LPDDR3 LTE Cat.7 /
麒麟655 2016.Q4 TSMC 16nm FinFET+ A53 4*A53+4*A53 1.7+2.1GHz Mali-T830 MP2 LPDDR3-933 LTE Cat.7 /
麒麟658 2017.Q1 TSMC 16nm FinFET+ A53 4*A53+4*A53 1.7+2.36GHz Mali-T830 MP2 LPDDR3-933 LTE Cat.7 FCP
麒麟659 2017.Q1 TSMC 16nm FinFET+ A53 4*A53+4*A53 1.7+2.36GHz Mali-T830 MP2 LPDDR3-933 LTE Cat.7 FCP
麒麟710 2018.Q2 TSMC 12nm A53+A73 4*A53+4*A72 1.7+2.2GHz Mali-G51 MP4 LPDDR4X LTE Cat.12/13 FCP
麒麟950 2015.Q4 TSMC 16nm FinFET+ A53+A72 4*A53+4*A72 1.8+2.3GHz Mali-T880 MP4 LPDDR3/LPDDR4-1333 LTE Cat.6 FCP
麒麟955 2016.Q2 TSMC 16nm FinFET+ A53+A72 4*A53+4*A72 1.8+2.5GHz Mali-T880 MP4 LPDDR3/LPDDR4-1333 LTE Cat.6 FCP
麒麟960 2016.Q4 TSMC 16nm FinFET Compact A53+A73 4*A53+4*A73 1.8+2.3GHz Mali-G71 MP8 2xLPDDR4 LTE Cat.12/13 SCP
麒麟970 2017.Q4 TSMC 10nm A53+A73 4*A53+4*A73 1.8+2.4GHz Mali-G72 MP12 4xLPDDR4X-1833 LTE Cat.18 SCP
麒麟980 2018.Q4 TSMC 7nm A76+A55 2*A76+2*A76+4*A55 2.6+1.92+1.8GHz Mali-G76 MP10 4xLPDDR4X-2133 LTE Cat.21 SSCP

三星（SAMSUNG）

主要信息来源于官方发布会以及网络收集。

型号 发布时间 制造工艺 架构 配置方式 CPU主频 GPU 内存 基带 快充
Exynos 7420 2015.Q1 SAMSUNG 14nm LPE A53+A57 4*A53+4*A57 1.5+2.1GHz Mali-T760 MP8 LPDDR4-1533 LTE Cat.9 QC2.0
Exynos 7580 2015.Q3 TSMC 28nm HKMG A53 8*A53 1.5GHz Mali-T720 MP2 LPDDR3-933 LTE Cat.6 ？
Exynos 7870 2016.Q2 SAMSUNG 14nm LPP A53 8*A53 1.7GHz Mali-T830 MP2 LPDDR3-933 LTE Cat.6 ？
Exynos 8890 2015.Q4 SAMSUNG 14nm LPP A53+Mongoose 4*A53+4*Mongoose 1.5+2.6GHz Mali-T880 MP12 LPDDR4-1800 LTE Cat.12/13 QC2.0
Exynos 8895 2017.Q1 SAMSUNG 10nm LPE A53+Mongoose 2 4*A53+4*Mongoose 2 1.7+2.5GHz Mali-G71 MP20 LPDDR4X LTE Cat.16/13 QC2.0
Exynos 9810 2017.Q1 SAMSUNG 10nm LPP A55+Mongoose 3 4*A55+4*Mongoose 3 1.7+2.9GHz Mali-G72 MP18 LPDDR4X LTE Cat.18/18 QC2.0

联发科（MTK）

部分信息来源于官网，MTK 的型号参数非常混乱，而且很多型号的官网信息写的也很简略，因此也同时参考了谷歌搜索和维基的信息。

型号 发布时间 制造工艺 架构 配置方式 CPU主频 GPU 内存 基带 快充
MT6732/6732M 2014.Q1 TSMC 28nm HPM A53 4*A53 1.5/1.3GHz Mali-T760 MP2 500/?MHz LPDDR3-800 LTE Cat.4 PEP
MT6735 2015.Q1 TSMC 28nm LP A53 4*A53 1.3 Mali-T720 MP2 600MHz LPDDR3-640 LTE Cat.4 PEP
MT6735M/6735P 2015.Q1 TSMC 28nm LP A53 4*A53 1.0GHz Mali-T720 MP1 450/600MHz LPDDR3-533 LTE Cat.4 ？
MT6750 2016.Q1 TSMC 28nm HPM A53 8*A53 1.5GHz Mali-T860 MP2 520MHz LPDDR3-666 LTE Cat.6 PEP
MT6750T 2016.Q1 TSMC 28nm HPM A53 8*A53 1.5GHz Mali-T860 MP2 650MHz LPDDR3-833 LTE Cat.6 PEP
MT6752/6752M 2014.Q1 TSMC 28nm HPM A53 8*A53 1.7/1.5GHz Mali-T760 MP2 700MHz LPDDR3-800 LTE Cat.4 ？
MT6753 2017.Q1 TSMC 28nm LP A53 8*A53 1.5GHz Mali-T720 MP3 700MHz LPDDR3-666 LTE Cat.4 PEP
Helio P10（MT6755/6755M） 2015.Q2 TSMC 28nm HPC+ A53 8*A53 2/1.8GHz Mali-T860 MP2 700MHz LPDDR3-933 LTE Cat.6 PEP
Helio P15 （MT6755T） 2016.Q3 TSMC 28nm HPC+ A53 8*A53 2.2GHz Mali-T860 MP2 800MHz LPDDR3-933 LTE Cat.6 PEP
Helio P20（MT6757） 2016.Q1 TSMC 16nm FFC A53 8*A53 2.3GHz Mali-T880 MP2 900MHz LPDDR4X-1600 LTE Cat.6 PEP
Helio P22 PowerVR GE8320 LPDDR4X 1600MHz/LPDDR3 933MHz LTE Cat.7 PEP
Helio P23 Mali-G71 MP2 770MHz LPDDR4X 1600MHz/LPDDR3 933MHz LTE Cat.6/7 PEP
Helio P25 2017.Q1 TSMC 16nm FFC A53 8*A53 2.5GHz Mali-T880 MP2 900MHz LPDDR4X 1600MHz/LPDDR3 933MHz LTE Cat.6 PEP
Helio P30 Mali-G71 MP2 950MHz LPDDR4X-1600 LTE Cat.6/7 PEP
Helio P35 PowerVR GE8320 680MHz LPDDR4X 1600MHz/LPDDR3 933MHz LTE Cat.7 PEP
Helio P60 Mali-G72 MP3 800MHz LPDDR4X-1800 LTE Cat.7 PEP
Helio P70 Mali-G72 MP3 900MHz LPDDR4X-1800 LTE Cat.7 PEP
Helio X10（MT6795M） 2015.Q1 TSMC 28nm HPC+ A53 8*A53 2.0GHz PowerVR G6200 550MHz LPDDR3-933 LTE Cat.4 PEP
Helio X10（MT6795） 2015.Q1 TSMC 28nm HPC+ A53 8*A53 2.0GHz PowerVR G6200 700MHz LPDDR3-933 LTE Cat.4 PEP
Helio X10（MT6795T） 2015.Q1 TSMC 28nm HPC+ A53 8*A53 2.2GHz PowerVR G6200 700MHz LPDDR3-933 LTE Cat.4 PEP
Helio X20（MT6797) 2015.Q2 TSMC 20nm HPM A53+A72 4*A53+4*A53+2*A72 1.4+1.85+2.0GHz Mali-T880 MP4 780MHz LPDDR3-933 LTE Cat.6 PEP
Helio X23 (MT6797D) 2016.Q4 TSMC 20nm HPM A53+A72 4*A53+4*A53+2*A72 1.4+1.85+2.3GHz Mali-T880 MP4 780MHz LPDDR3-800 LTE Cat.6 PEP
Helio X25 (MT6797T) 2016.Q1 TSMC 20nm HPM A53+A72 4*A53+4*A53+2*A72 1.55+2.0+2.5GHz Mali-T880 MP4 850MHz LPDDR3-933 LTE Cat.6 PEP
Helio X27 (MT6797X) 2016.Q4 TSMC 20nm HPM A53+A72 4*A53+4*A53+2*A72 1.6+2.0+2.6GHz Mali-T880 MP4 875MHz LPDDR3-800 LTE Cat.6 PEP
Helio X30 (MT6797X) PowerVR GT7400 Plus 800MHz LPDDR4X -1866 LTE Cat.10/13 PEP

松果（Pinecone）

主要信息来源于网络收集。

型号 发布时间 制造工艺 架构 配置方式 CPU主频 GPU 内存 基带 快充
澎湃S1 2017.Q1 TSMC 28nm HPC A53 4*A53+4*A53 1.4+2.2GHz Mali-T880 MP4 LPDDR3-933 LTE Cat.4 澎湃快充
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